英特爾：內(nèi)存硬盤合體 將比SSD快千倍？

2015-08-30 14:34 作者：admin 瀏覽量：

　　（zol在線）Intel宣布年底推出的首個(gè)3D XPoint技術(shù)Optane固態(tài)硬盤，目前的測(cè)試水平為傳統(tǒng)固態(tài)硬盤的5-7倍。（北京it外包公司）

　　初步判斷，Optane的首批規(guī)格應(yīng)該是采用PCI Express 3.0 x4接口，帶寬4GB/s(32Gbps)，保持與現(xiàn)有的數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器兼容。（服務(wù)器維護(hù)外包）

　　不過，更重要的是，3D XPoint統(tǒng)一了DRAM內(nèi)存和SSD，即把非易失性技術(shù)應(yīng)用于系統(tǒng)內(nèi)存制造NVDIMMs，俗稱內(nèi)存硬盤合體。

　　英特爾即將推出的至強(qiáng)E5 V4“Broadwell-EP”處理器有高達(dá)22核心，且正式支持PC4-19200(2400MHz的DDR4)的內(nèi)存，最高提供的帶寬達(dá)到19.2GB /秒。從理論上講，3D XPoint NVDIMMs可以提供類似的帶寬，但I(xiàn)ntel表示，由于接口的限制，最高只能到6GB/秒。（it外包）

　　Intel和美光在7月份的時(shí)候正式宣布了3D XPoint技術(shù)，這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲(chǔ)方案，理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤快千倍。英特爾與美光現(xiàn)在堅(jiān)信，3D XPoint DIMM憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)即極端的讀寫速度，更高的可靠性(相比NAND)和大規(guī)模高密度，今后會(huì)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中占到很重要的地位。

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